Vad är en MOSFET -transistor?

En MOSFET -transistor är en halvledarenhet som växlar eller förstärker signaler i elektroniska enheter.MOSFET är en förkortning för metall-oxid-sememeduktorfälteffekttransistor.Namnet kan skrivas på olika sätt som MOSFET, MOS FET eller MOS-FET;Termen MOSFET -transistor används ofta, trots dess redundans.Syftet med en MOSFET -transistor är att påverka flödet av elektriska laddningar genom en enhet genom att använda små mängder el för att påverka flödet av mycket större mängder.MOSFET: er är de mest använda transistorerna i modern elektronik.

MOSFET -transistorn är allestädes närvarande i det moderna livet eftersom det är den transistortyp som oftast används i integrerade kretsar, grunden för nästan alla moderna datorer och elektroniska enheter.MOSFET-transistorn är väl lämpad för denna roll på grund av dess låga effektförbrukning och spridning, låg avfallsvärme och låga massproduktionskostnader.En modern integrerad krets kan innehålla miljarder MOSFET: er.och kropp.Källan och avloppet finns i transistorns kropp, medan grinden är över dessa tre terminaler, placerade mellan källan och avloppet.Porten är separerad från de andra terminalerna med ett tunt skikt av isolering.

En MOSFET kan utformas för att använda antingen negativt laddade elektroner eller positivt laddade elektronhål som elektriska laddningsbärare.Käll-, grind- och dräneringsterminalerna är utformade för att ha ett överskott av antingen elektroner eller elektronhål, vilket ger var och en en negativ eller positiv polaritet.Källan och avloppet är alltid samma polaritet, och grinden är alltid motsatt polaritet på källan och dränering.

När spänningen mellan kroppen och grinden ökas och grinden får en elektrisk laddning, elektriska laddningsbärare av sammaAvgiften avvisas från grinden och skapar det som kallas en utarmningsregion.Om denna region blir tillräckligt stor kommer den att skapa det som kallas ett inversionslager vid gränssnittet mellan de isolerande och halvledande skikten, vilket ger en kanal där laddningsbärare av den motsatta polariteten i grinden lätt kan flyta.Detta gör att stora mängder elektricitet flyter från källan till avloppet.Liksom alla fälteffekttransistorer använder varje enskild MOSFET-transistor antingen positiva eller negativa laddningsbärare.Egenskaperna hos halvledartterminalerna kan förändras genom att lägga till små föroreningar av ämnen som bor, fosfor eller arsenik, en process som kallas doping.Porten är vanligtvis tillverkad av polykristallint kisel, även om vissa MOSFETS har grindar gjorda av polysilikon som legeras med metaller såsom titan, volfram eller nickel.Extremt små transistorer använder grindar tillverkade av metaller som volfram, tantal eller titannitrid.Det isolerande skiktet är oftast tillverkat av kiseldioxid (så

2

), även om andra oxidföreningar också används.